聯笙電子在標準CMOS工藝中提供了類似EEPROM的邏輯兼容嵌入式非揮發性記憶體（NVM），無需額外的掩模或處理步驟。 我們的邏輯NVM不僅是SoC應用（例如DSP，MCU，智能卡，p-Gamma，PMIC等）的記憶體解決方案，還可以服務於新興的小型超低功耗單芯片設計。

經過嚴格的特性鑒定，鑒定和可靠性測試驗證，該經過硅驗證的產品以硬GDSII模塊的形式提供，包括所有必需的控制和支持電路，包括電荷泵和高壓配電電路。

• 制程 : 3.3v devices only
• 操作電壓 : 3.7v ~ 2v
• 操作次數 : 100k
• 資料保存時間 : 10 years
• 燒錄電壓 : 3.7v ~ 2v
• 讀取電壓 : 3.7v to 1v (依照讀取速度)
• 讀取所需電流 : 10 uA
• 寫入所需電流 : 30 uA
• 存取時間 : 100ns
• 頁寫入時間 : 4msec
• 讀取操作溫度範圍: -40C to 125C (Junction)
• 燒錄操作溫度範圍: -40C to 125C (Junction)